Орликовский Александр Александрович.

Орликовский Александр Александрович (1938, г.Москва) - специалист в области технологии и физики приборов

микро- и наноэлектроники, академик РАН (2006)

Орликовский Александр Александрович родился 12 июня 1938 г. в Москве. В 1961 г.окончил Московский инженерно-физический институт, кафедру "Электроники".

С 1961 по 1963 годы Александр Александрович Орликовский работал в Всесоюзном научно-исследовательском институте приборостроения. В 1963 —1966 г.г. обучался в аспирантуре Московского института электронного машиностроения. Работал над диссертацией в НИИ «Пульсар». После защиты кандидатской диссертации работал старшим преподавателем, доцентом Московского института электронной техники. С 1981 г. работал старшим научным сотрудником сектора микроэлектроники, с 1985 г. заведующим лаборатории микроструктурирования и субмикронных приборов Института общей физики АН и с 1988 г. Физико-технологического института РАН, с 2001 года заместителем директора по научной работе, с 2005 года директором Физико-технологического института РАН.

Орликовский Александр Александрович избран членом-корреспондентом Российской академии наук 26.05.2000 - Отделение информатики, вычислительной техники и автоматизации (элементная база, в том числе САПР в микроэлектронике).

25.05.2006 Орликовский Александр Александрович избран действительным членом (академиком) РАН - Отделение информационных технологий и вычислительных систем РАН (инфоромационные системы и элементная база)

Академик Орликовский А. А. является одним из ведущих ученых нашей страны в области физики и технологии элементной базы микро- и наноэлектроники. Внес значительный вклад в разработку физических и схемотехнических принципов создания полупроводниковой памяти. Ему принадлежит ряд пионерских работ в этой области: концепция, схемы выборки, схемы и структуры элементов памяти, обнаружение коллективных явлений в больших массивах биполярной памяти. Результаты работ внедрены в промышленных разработках сверхскоростных БИС оперативной памяти (НИИМЭ и завод «Микрон»), получивших применение в отечественной электронной аппаратуре специального назначения. С 1981 года главным направлением его исследований являются физические основы процессов субмикронной технологии кремниевых СБИС, создание новых технологий и технологического оборудования для передовых производств СБИС.

Орликовский А. А. является одним из основоположников развития научных исследований в этой области. Под его непосредственным руководством выполнен цикл работ по созданию технологии контактных слоев для глубоко субмикронных интегральных схем на основе силицидов титана. Впервые установлено влияние содержания кислорода на температуру образования дисилицидной фазы. Цикл теоретических и экспериментальных работ по плазмохимическому травлению кремния и кремнийсодержащих материалов завершился созданием технологии глубокого анизотропного травления кремния с использованием впервые в мировой практике Br-содержащих газов. Выполнен цикл исследований по молекулярно-пучковой эпитаксии арсенида галлия на кремнии с целью создания технологии оптических связей на кремниевых чипах и между чипами. Физические и технологические принципы, заложенные в работах Орликовского А. А., находят применение в современных отечественных производствах интегральных схем.

В последние годы Орликовский А. А. развивает научные исследования, связанные с разработкой технологии интегральных схем с минимальными размерами в суб-100 нм диапазоне. Это, во-первых, работы по созданию широкоапертурных источников плотной низкотемпературной плазмы с высокой равномерностью потоков плазмы на подложку. Во-вторых, работы по диагностике низкотемпературной плазмы и методам мониторинга плазменных технологических процессов — основы автоматизации плазмохимического оборудования. В этой области созданы методы мониторинга плазменных процессов травления и нанесения тонких пленок на основе оптической эмиссионной спектроскопии, зондов Ленгмюра и спектральной эллипсометрии. Под его руководством создан оптический томограф плазмы, предназначенный для аттестации источников плотной плазмы. Циклы этих работ завершились созданием в лаборатории А. А. Орликовского автоматизированных установок плазмохимического травления, в том числе, для приборов микромеханики, плазмостимулированного нанесения тонких пленок диэлектриков и плазмоиммерсионной ионной имплантации. Образцы этих установок изготовлены для ряда академических и отраслевых институтов. Согласованы планы по производству установок для промышленных применений.

Новым направлением его научных интересов стало, совместно с академиком Валиевым К. А., развитие нанотехнологий для создания приборов с использованием квантовых явлений в полупроводниках. Это, прежде всего, технология нанотранзисторов с длиной канала порядка 10 нм, на свойства которых значительное влияние оказывают квантовые явления. В этом направлении ведутся интенсивные исследования сверхмелкого легирования, технологии подзатворных диэлектриков с высоким ?, металлических затворов, контактных и барьерных слоев для создания ультрабольших интегральных схем новых поколений. Разработана полностью квантовая модель нанотранзистора.

Орликовский А. А. ведет активную научную и научно-организационную работу по развитию исследований для решения принципиально новых задач в области технологии твердотельных квантовых компьютеров.

Орликовский А. А. автор более 300 научных работ, монографии и учебных пособий, патентов на изобретения. Среди его учеников доктора и кандидаты наук, в том числе, руководители микроэлектронных производств.

А. А. Орликовский — талантливый организатор науки. Как человек, ученый и гражданин А. А. Орликовский обладает даром увлекать людей во имя высоких целей, создавать благоприятную творческую обстановку. Он является бессменным председателем оргкомитета регулярной проходящей при широком участии отечественных и зарубежных ученых Международной конференции «Микро- и наноэлектроника» (ICMNE). Член бюро Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, зам. главного редактора журнала «Микроэлектроника», член двух Научных советов РАН, член специализированных советов по защитам диссертаций.