АРАН. Фонд 2212.

Физико-технологический институт Российской академии наук

В составе Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации (с 1988)

Физико-технологический институт (ФТИАН) был образован постановлением Президиума Академии наук СССР № 938 от 12 июля 1988 г. на базе Отделения микроэлектроники Института общей физики АН СССР. Институт вошел в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации АН СССР. (С 2007 г. – Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН).

Постановлением Президиума АН СССР № 938 12.07.1988 г. были определены основные направления деятельности института:

- исследование физико-технологических проблем литографии субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем (субмикронная оптическая литография, в т.ч. лазерная, рентгеновская литография, субмикронная литография с использованием пучков частиц);

- разработка вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, изготовление и исследование образцов субмикронных приборов микроэлектроники;

- разработка методов применения оптических связей в микроэлектронике ЭВМ;

- машинное моделирование субмикронных приборов и технологических методов их изготовления;

- изучение проблем применения субмиллиметровых лазеров в технике.

Первым директором Института был назначен академик К.А. Валиев.

В 2005 г. Институт возглавил академик А.А. Орликовский.

В настоящее время основной целью Института, закрепленной в его уставных документах, является выполнение фундаментальных научных исследований и прикладных разработок в области физики и технологии элементной базы информационных и вычислительных систем.

Главными направлениями деятельности ФТИАН являются:

- квантовые методы обработки информации и архитектура высокопроизводительных вычислительных систем, физика элементной базы квантовых компьютеров;

-физика и технология элементной базы микро- и наноэлектроники, микро- и наносистемной техники;

- рентгеновские методы анализа структуры многослойных наносистем;

- математическое моделирование приборов и технологических процессов микро- и наноэлектроники;

- разработка источников низкотемпературной плазмы, ионных пучков и ионноплазменных технологий;

- разработка методов мониторинга технологических процессов и диагностики микро- и наноструктур, физика наномагнетиков.

Для осуществления этих задач в Институте созданы научные подразделения:

- Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов;

- Лаборатория физики квантовых компьютеров;

- Лаборатория физики поверхности и микро- и наноэлектронных структур;

- Лаборатория ионно-лучевых технологий;

- Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов;

- Лаборатория архитектуры высокопроизводительных вычислительных систем;

- Лаборатория технологии микро- и наносистем.

С 2006 г. существует Ярославский филиал Физико-технологического института РАН (ЯФ ФТИАН), занимающийся фундаментальными и прикладными исследованиями в области элементной и технологической базы микро- и наноэлектроники, а также микросистемной техники.

Последними современными (2013 г.) разработками ФТИАН стали:

-установка глубокого анизотропного плазмохимического травления для создания элементов МЭМС и НЭМС;

- ионно-лучевые технологии;

- разработка серии пилотных плазмохимических установок для субмикронных технологических процессов производства ИС и проектными нормами 0,13-0,5 мкм.